企业介绍

本公司主要经营LED芯片、外延片等。本公司秉承“顾客上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎广大客户惠顾! 更多详情...
西安中为光电科技有限公司的工商信息
  • 610131100000915
  • 916101316631916610
  • 开业
  • 其他有限责任公司
  • 2007年09月23日
  • 王社教
  • 10000.000000
  • 2007年09月23日 至 永久
  • 西安市工商行政管理局高新分局
  • 2017年11月17日
  • 西安市电子城电子西街3号201号厂房二层
  • 半导体外延片、芯片、半导体光电产品、LED照明应用产品、紫外光源模组及成品的研究、开发、生产、销售和服务;建筑智能化工程、景观亮化工程、灯光工程的设计、安装、技术服务;照明系统及配电系统改造工程、电力工程、城市道路照明、城市园林绿化、建筑机电安装工程、建筑装修工程、装饰工程的承包、设计、施工;货物与技术的进出口经营(国家限制、禁止和须经审批进出口的货物和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
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类型 名称 网址
网站 西安中为光电科技有限公司 http://www.zoomview.com.cn
西安中为光电科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205844396U 光电探测器芯片的快速测试装置 2016.12.28 本实用新型公开了一种光电探测器芯片的快速测试装置,包括测试装置、LED光源、扫描控制模块和机械控制台
2 CN106206895A 一种具有双电流扩展层的LED及其制作方法 2016.12.07 本发明公开了一种具有双电流扩展层的LED及其制作方法,其制作方法包括以下步骤:A、将外延片经过清洗处
3 CN105449063A 提高紫外LED紫外光纯度的结构及其方法 2016.03.30 本发明公开了一种提高紫外LED紫外光纯度的结构,包括Mg掺杂氮化镓层、活性层、高纯度不掺杂氮化镓层、
4 CN104779326A 一种GaN外延废片回收的方法 2015.07.15 本发明公开了一种GaN外延废片回收的方法,包括下述步骤:步骤二:把所述步骤一中处理的GaN外延废片浸
5 CN204167346U 一种具有ESD保护电路结构的LED芯片 2015.02.18 本实用新型公开了一种具有ESD保护电路结构的LED芯片,包括衬底、第一N型层、第一多量子阱、第一P型
6 CN203981274U 一种收光器夹具 2014.12.03 本实用新型公开了一种收光器夹具,包括:主体、设置于所述主体的转动机构、设置于所述转动机构的横杆以及设
7 CN102591158A 一种精确测量WEE宽度的方法 2012.07.18 本发明公开了一种精确测量WEE宽度的方法,包括如下步骤:首先,将光刻机挡板设置在需曝光使用的光刻对位
8 CN102427102A 一种防止外延层生长二次位错的方法 2012.04.25 本发明一种消除外延生长位错的方法,直接在传统的蓝宝石、SiC或Si衬底上生长一定厚度的外延层,然后采
9 CN102337519A 一种防止反应室反气的装置及方法 2012.02.01 一种防止反应室反气的装置及方法,该装置包括有反应室,和反应室相连通的尾气泵,在反应室和尾气泵之间设有
10 CN102330071A 一种串联提高固态源使用效率的方法 2012.01.25 一种串联提高固态源使用效率的方法,包括以下步骤:步骤1:将同型号的两个源瓶串联,具体做法是:将同型号
11 CN102324451A 牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法 2012.01.18 牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法,首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片
12 CN102323715A 一种防止雾化的光罩板及其制造方法 2012.01.18 一种防止雾化的光罩板及其制造方法,该光罩板从内到外依次包括防光罩层、粘胶层、感光乳胶层以及保护膜,所
13 CN102299141A 一种直接在LED芯片上制造ESD保护电路的方法 2011.12.28 一种直接在LED芯片上制造ESD保护电路的方法,首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片部分
14 CN102296282A 一种反向连接提高固态源使用效率的方法 2011.12.28 一种反向连接提高固态源使用效率的方法,包括以下步骤:步骤1:当源瓶内的固态源剩余量小于50%时,将源

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